时间：2025/12/26 8:37:47
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DMN2500UFB4-7是一款由Diodes Incorporated生产的高性能P沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低功耗应用设计，特别适用于需要紧凑型封装和优异热性能的便携式电子设备。其小型化的SOT-23（SC-70）封装使其非常适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他电池供电系统中的电源管理与负载开关功能。该MOSFET具备低导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提升整体能效，在开关模式电源、电机驱动以及信号切换电路中表现出色。此外，DMN2500UFB4-7具有良好的栅极耐压能力，支持稳定的逻辑电平控制，兼容多种数字控制接口。由于其出色的电气特性和可靠性，这款器件广泛应用于现代消费类电子产品中，满足对小型化、高效能和低成本解决方案的需求。
类型：P沟道
漏源电压（VDS）：-20V
连续漏极电流（ID）：-1.8A
脉冲漏极电流（IDM）：-4.2A
导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -4.5V；60mΩ @ VGS = -2.5V
栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
栅源电压（VGS）：±12V
功率耗散（PD）：300mW
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOT-23（SC-70）
DMN2500UFB4-7采用先进的TrenchFET工艺制造，这一技术显著提升了器件的载流能力和开关速度，同时有效降低了导通电阻和寄生参数。其核心优势之一是极低的RDS(on)，在VGS = -4.5V时仅为45mΩ，而在更低的逻辑电平VGS = -2.5V下也能保持60mΩ的优异表现，这使得它能够在低电压控制系统中实现高效的功率切换，减少能量损耗和发热问题。这种低导通电阻特性对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并提高系统效率。
该器件还具备优良的热稳定性与散热性能，尽管采用的是微型SOT-23封装，但通过优化芯片布局和封装材料，实现了高达300mW的功率耗散能力，确保在较高负载条件下仍能稳定运行。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其不仅适用于常温环境下的消费电子产品，也可在恶劣温度条件下可靠工作，增强了产品的环境适应性。
DMN2500UFB4-7的栅极结构设计支持±12V的栅源电压范围，具备一定的过压保护能力，避免因瞬态电压波动导致器件损坏。其阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，属于标准逻辑兼容水平，可直接由3.3V或5V微控制器IO口驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。此外，该MOSFET具有较低的输入和输出电容，有助于加快开关响应速度，降低动态损耗，适合高频开关应用场景。
该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，体现了绿色环保的设计理念。其小型化封装不仅节省PCB空间，还有助于实现高密度组装，适用于自动化贴片生产线，提升了制造效率和产品一致性。总体而言，DMN2500UFB4-7是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，适用于对空间和能效有严格要求的现代电子系统。
DMN2500UFB4-7广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等，用于电池供电系统的负载开关、电源路径控制和反向电流阻断功能。其低导通电阻和小封装特性也使其成为DC-DC转换器、LDO使能控制、LED背光驱动以及USB端口电源管理的理想选择。此外，该器件可用于电机驱动电路、继电器驱动和信号多路复用等开关控制场合，尤其适合需要逻辑电平直接驱动的小功率控制应用。在工业控制、家用电器和物联网设备中，该MOSFET常被用于实现低功耗待机模式下的电源切断功能，以降低静态功耗，提升能源利用效率。
DMG2305UX-7
DMP2005UFG-7
AOZ5205PI
