型号：DMN2400UFD-7
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-5.8A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-14A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -4.5V：35mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -2.5V：45mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -1.8V：60mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　栅极电荷（Qg）：9nC @ VDS = -10V, ID = -2.9A
　　输入电容（Ciss）：410pF @ VDS = -10V
　　输出电容（Coss）：190pF @ VDS = -10V
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerDI5060-6L

DMN2400UFD-7采用先进的TrenchFET?沟道技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能平衡。其RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为35mΩ，显著降低了在大电流条件下的功率损耗，提升了系统效率。这种低导通电阻特性对于电池供电设备尤为重要，因为它直接关系到续航时间的长短。同时，在较低的栅极驱动电压下，如-2.5V或-1.8V，该器件仍能保持良好的导通能力，这使得它兼容现代低电压逻辑控制信号，适用于由微控制器直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg = 9nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，从而减少了驱动电路的负担，并支持更高的开关频率运行。这对于DC-DC转换器、同步整流和其他高频电源拓扑来说至关重要，可以减小外围元件（如电感和电容）的尺寸，进一步缩小整体解决方案体积。此外，其输入电容（Ciss）仅为410pF，有助于降低高频噪声耦合风险，并改善EMI表现。
　　DMN2400UFD-7具备出色的热性能，得益于PowerDI5060-6L封装的设计优势，其底部暴露焊盘可以直接连接到PCB上的大面积铜箔，实现高效的热传导。这种结构有效降低了热阻，使器件能够在高负载条件下稳定运行而不过热。结合高达+150°C的最大结温，该器件可在高温环境中可靠工作，满足工业级应用的需求。
　　该器件还内置了较强的抗雪崩能力和稳健的ESD防护机制，增强了在实际使用中的耐用性。其反向恢复时间短（trr = 16ns），适用于需要快速关断体二极管的应用场合，减少反向恢复带来的损耗和电压尖峰问题。总体而言，DMN2400UFD-7是一款集高性能、小型化和高可靠性于一体的P沟道MOSFET，非常适合用于现代高密度、高效率电源管理系统中。

DMN2400UFD-7广泛应用于各类便携式电子设备中的电源开关与负载管理，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的电池保护电路和电源通断控制。其低导通电阻和小封装特性使其成为理想的选择，用于构建高效的P沟道高端开关电路，替代传统的分立式方案以节省空间并提升效率。在DC-DC转换器中，该器件可用作同步整流器或上桥臂开关，配合控制器实现高频率、高效率的能量转换，尤其适用于降压（Buck）拓扑结构。
　　此外，它也常用于电机驱动模块中，作为H桥电路的一部分，控制直流电机或步进电机的方向与启停。凭借其快速的开关响应能力和良好的热稳定性，DMN2400UFD-7能在频繁启停和负载变化的工况下保持稳定运行。在LED背光驱动和照明控制电路中，该MOSFET可用于调节电流路径，实现精准的亮度控制。
　　在工业自动化与消费类电子产品中，该器件还被用于热插拔电路、USB电源开关、电源多路复用器以及各种形式的固态继电器设计。其宽泛的工作温度范围和可靠的电气性能确保了在不同环境条件下的长期稳定运行。由于其符合RoHS标准且不含卤素，因此也适用于对环保要求较高的绿色电子产品设计项目。

DMG2305UX-7
　　DMP2005UFG-7
　　Si2305DS
　　FDMC8200
　　TPC8014