时间：2025/6/26 17:45:45
阅读：6
DMN2400UFB4-7是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用MicroFET技术制造。该器件具有超低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率、空间受限的应用场景。其小型DFN1010-6封装（1mm x 1mm）非常适合便携式设备和其他对尺寸敏感的设计。
这款MOSFET主要应用于负载开关、DC-DC转换器、电源管理电路以及电池供电设备中的功率控制。其出色的性能使其成为高效能应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：3.6nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：DFN1010-6
DMN2400UFB4-7具有非常低的导通电阻，能够显著减少导通损耗并提高系统效率。
该器件采用微型DFN封装，节省了PCB空间，同时保持了良好的散热性能。
它支持宽范围的工作温度，适合在各种环境条件下使用。
MOSFET的栅极驱动要求较低，可以轻松与逻辑电平兼容的控制器配合使用。
由于其快速开关能力，DMN2400UFB4-7在高频应用中表现出色，减少了开关损耗。
DMN2400UFB4-7广泛应用于消费电子、通信和工业领域。
典型应用包括：
- 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关
- 降压或升压DC-DC转换器
- USB充电端口保护
- 小型化电源适配器
- 电池管理系统中的功率路径控制
- 各类低功耗、高效率的电源管理解决方案
DMN2990UFCE-7
DMN2996UFG6-7
BSC018N06NS3
FDMQ8208
