时间：2025/5/10 11:06:44
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DMN2400UFB 是一款 N 沣道通晶体管（N-Channel Enhancement Mode MOSFET），由 Diodes 公司生产。该器件采用 U-DFN1010-2 封装，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适合用于负载开关、便携式设备中的电源管理以及高效能转换电路。
该器件通过优化设计，显著降低了功率损耗并提升了系统效率，同时其小尺寸封装使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：8mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
栅极电荷：7nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：U-DFN1010-2
DMN2400UFB 提供了出色的电气性能，包括低导通电阻以减少功耗，从而提高整体系统的效率。
其小型化的封装设计能够满足现代电子设备对紧凑空间的需求。
此外，它具备良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
该器件还支持高频开关操作，适用于多种电源管理和信号切换应用场景。
DMN2400UFB 广泛应用于各种便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和其他电池供电设备的负载开关。
它也适用于 DC-DC 转换器、逆向阻断保护电路以及需要高效能开关操作的场合。
凭借其低导通电阻和高开关速度，该器件在电源管理模块和功率分配网络中表现优异。
DMN2990UFG, BSS138, AO3400
