时间：2025/9/14 11:12:39
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PSMN2R2-40BS,118 是由 NXP（恩智浦）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和功率转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，能够在低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能之间实现良好的平衡。PSMN2R2-40BS,118 的最大漏源电压（VDS）为 40V，最大连续漏极电流（ID）为 110A，在高功率密度设计中表现出色。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 VDS：40V
最大栅源电压 VGS：±20V
最大连续漏极电流 ID：110A（在 25°C 下）
导通电阻 Rds(on)：2.2mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO220AB
安装类型：通孔
PSMN2R2-40BS,118 具备多项显著的技术特性，使其适用于各种高性能功率电子系统。
首先，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式 MOS 工艺，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。典型导通电阻仅为 2.2mΩ，非常适合需要高电流能力和低功耗的应用场景。
其次，该器件的最大漏极电流为 110A，在 25°C 环境温度下具备优异的电流承载能力，适合用于大功率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统等应用。此外，PSMN2R2-40BS,118 具备良好的热稳定性，其最大工作温度可达 175°C，确保在高温环境下依然能够稳定运行。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，通常可以在 4.5V 至 20V 的 VGS 范围内工作，这使得它能够与多种控制器或驱动 IC 配合使用，提高了系统设计的灵活性。
此外，PSMN2R2-40BS,118 采用 TO220AB 封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合在工业环境和汽车电子系统中使用。TO220AB 封装也便于安装散热片，以进一步提升器件的热管理能力。
最后，该器件的可靠性和耐用性得到了广泛验证，符合 AEC-Q101 汽车电子标准，适用于汽车应用，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等。
PSMN2R2-40BS,118 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。它在开关电源（SMPS）中作为主开关器件，能够有效提高电源转换效率并降低损耗。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，提供高电流输出能力。由于其优异的热性能和电流承载能力，PSMN2R2-40BS,118 也常用于电机驱动和逆变器系统，适用于工业自动化和电动工具等领域。此外，该器件适用于电池管理系统（BMS），特别是在电动车和储能系统中，用于电池充放电控制和保护电路。在汽车电子方面，该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等应用，满足汽车行业的高可靠性和高性能要求。此外，PSMN2R2-40BS,118 也可用于高功率 LED 驱动、服务器电源和电信设备中的功率管理模块。
IPB110N10N3 G, STB110N4F3, IRLB8743PBF, FDP110N10
