型号：DMN2400UFB-7
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23 (SC-59)
　　连续漏极电流（Id）：500mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：2A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：20V
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　静态漏源导通电阻（RDS(on)）：85mΩ @ Vgs=4.5V, Id=500mA
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：65pF @ Vds=10V, Vgs=0V
　　反向传输电容（Crss）：10pF @ Vds=10V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：50pF @ Vds=10V, Vgs=0V
　　开启延迟时间（td(on)）：3ns
　　关断延迟时间（td(off)）：5ns

DMN2400UFB-7采用先进的沟道场效应晶体管（TrenchFET）技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了功率损耗并提高了整体系统的能效。这种低RDS(on)特性使得它特别适合用于电池供电的移动设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关或负载管理电路。由于其最小化的导通损耗，该器件能够在轻载条件下依然保持较高的转换效率，有助于延长电池续航时间。
　　该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这使得其在高频开关应用中表现出色。快速的开关速度不仅提升了响应能力，还减小了开关过程中的能量损失，进一步增强了电源系统的稳定性与效率。这对于同步整流型DC-DC变换器尤为重要，因为这类拓扑结构依赖于两个MOSFET的交替导通与截止来实现高效的电压调节。
　　DMN2400UFB-7的SOT-23封装具有极小的占板面积，仅需极少的PCB空间即可完成安装，满足现代电子产品小型化、集成化的发展趋势。同时，该封装具备良好的热传导性能，结合适当的布局设计可以有效散热，确保器件在持续工作状态下不会因过热而损坏。
　　其宽泛的工作温度范围使其适用于多种复杂环境，无论是高温工业现场还是低温户外设备都能可靠运行。此外，该器件具备较强的抗静电能力（ESD protection），提高了生产过程中对静电放电的耐受性，降低了装配不良率。综合来看，DMN2400UFB-7是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的理想选择，适用于各类对效率和空间敏感的应用场合。

DMN2400UFB-7广泛应用于便携式电子设备中的电源管理单元，例如作为手机、MP3播放器、蓝牙耳机等产品中的负载开关或电源路径控制器。在这些应用中，它能够实现对不同功能模块的独立上电与断电控制，从而达到节能目的。此外，该器件常用于低压DC-DC降压转换器的同步整流环节，替代传统肖特基二极管以降低导通压降和功耗，提升整体转换效率。
　　在电池供电系统中，DMN2400UFB-7可用于构建理想的二极管功能，防止反向电流流动，保护主电源免受外部电压影响。它也可用于USB接口的电源开关，提供过流保护和热插拔支持，确保连接设备的安全性。在嵌入式控制系统中，该MOSFET可用作GPIO驱动的负载开关，控制LED背光、传感器模块或其他外围设备的供电状态。
　　由于其快速响应能力和低静态功耗，DMN2400UFB-7同样适用于待机模式下的电源门控设计，帮助系统进入低功耗休眠状态并在唤醒时迅速恢复供电。此外，在无线通信模块、IoT节点设备以及智能卡读写器等小型化电子装置中，该器件也发挥着重要作用，为系统提供高效、稳定的功率控制解决方案。

DMG2305UX-7
　　DMN6075SSS-13
　　AO3400A
　　SI2302CDS-T1-E3
　　FDC630N