型号：K5D1G12ACH-A090TSN
　　制造商：Samsung
　　存储类型：LPDDR3 SDRAM
　　组织结构：1Gb x12
　　总容量：1.5 Gb (192 MB)
　　电源电压 - 核心：1.2V
　　电源电压 - I/O：1.8V
　　最大数据速率：1600 Mbps
　　时钟频率：800 MHz
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：约90球（具体依据实际封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　符合RoHS：是
　　JEDEC合规：支持LPDDR3标准

K5D1G12ACH-A090TSN具备多项先进的技术特性，使其成为移动设备内存解决方案中的理想选择。首先，该芯片基于第三代低功耗双倍数据率（LPDDR3）架构设计，能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿同时传输数据，显著提升数据传输效率。其最大数据速率达到1600Mbps，配合800MHz的工作时钟频率，可为处理器提供高达12.8GB/s的峰值带宽（按x12位宽计算），充分满足高性能应用处理器对内存带宽的需求，尤其是在高清视频播放、大型游戏渲染和多窗口操作等高负载场景下表现优异。
　　其次，该器件集成了多种低功耗管理机制。例如，支持温度补偿自刷新（TCAR）功能，可根据芯片内部温度动态调整自刷新周期，从而在高温环境下保持数据完整性的同时避免不必要的电流消耗；还支持部分阵列自刷新（PASR）、深度省电模式（Deep Power Down）以及自动预充电进入低功耗状态等功能，进一步延长电池续航时间。这些特性对于依赖电池供电的移动设备至关重要。
　　再者，K5D1G12ACH-A090TSN采用高度集成的设计和先进的制造工艺，实现了小尺寸与高性能的平衡。其FBGA封装不仅节省空间，还能提供稳定的电气连接和良好的散热性能，适用于紧凑型主板设计。同时，该芯片具备较强的抗干扰能力和信号完整性优化设计，确保在高频运行下的稳定性和可靠性。此外，它兼容标准的LPDDR3命令集和时序协议，便于系统集成和软件驱动开发，降低了整体平台设计复杂度。

K5D1G12ACH-A090TSN主要应用于各类需要高性能、低功耗内存支持的便携式电子产品中。最常见的应用场景是智能手机和平板电脑，作为主系统内存与应用处理器协同工作，用于运行操作系统、加载应用程序、缓存用户数据以及处理多媒体内容。由于其高带宽和低延迟特性，特别适合搭载Android或iOS系统的智能设备，能够流畅支持4K视频解码、3D图形渲染和人工智能计算任务。
　　此外，该芯片也广泛用于其他嵌入式移动平台，如便携式导航仪（PND）、智能穿戴设备（如智能手表、AR/VR头显）、工业手持终端、车载信息娱乐系统（IVI）以及无人机控制系统等。在这些设备中，K5D1G12ACH-A090TSN不仅承担着程序运行的临时存储功能，还在图像采集缓冲、传感器数据聚合和网络通信数据暂存等方面发挥关键作用。
　　由于其符合工业级温度范围（-40°C至+85°C）和高可靠性标准，该器件也可用于某些恶劣环境下的工业控制设备或户外通信模块中。同时，因其封装小巧且易于表面贴装，适合自动化SMT生产线，有利于提高制造效率并降低生产成本。总体而言，K5D1G12ACH-A090TSN是一款面向中高端移动市场的通用型LPDDR3内存芯片，具备广泛的应用适应性。

K5D1G12ACM-A090
　　K5D1G12AGM-A090
　　K5D1G12ACF-A090