时间：2025/5/28 18:14:02
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DMN2310UT 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化 SOT-23 封装，适用于各种高效能、低功耗应用。其出色的导通电阻和开关性能使其成为电池供电设备、便携式电子设备以及消费类电子产品中的理想选择。
该 MOSFET 在设计中提供了极低的导通电阻和高开关速度，同时保持了较低的栅极电荷。这使得 DMN2310UT 在负载切换、电源管理以及其他功率控制应用中表现出色。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：6nC
总电容（Ciss）：22pF
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
DMN2310UT 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度和低栅极电荷设计，确保在高频应用中表现优异。
3. 耐热增强型 SOT-23 封装，提升了散热性能和可靠性。
4. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
这些特性使 DMN2310UT 成为便携式设备、开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等应用的理想选择。
DMN2310UT 主要应用于以下领域：
1. 手机和其他便携式设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器和降压/升压转换电路。
3. 电池供电设备中的电源管理。
4. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
5. 各种消费类电子产品中的信号切换。
其紧凑的封装和高效的性能使其特别适合空间受限但对性能要求较高的应用场合。
DMN2310UF, DMN2310UZ
