时间：2025/12/26 12:50:24
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DMN21D2UFB-7B是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低功耗的N沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为需要高效率和小尺寸封装的应用设计，特别适用于便携式电子设备、电源管理模块以及负载开关等应用场景。其采用小型化的DFN2020封装（2.0mm x 2.0mm），具有极低的导通电阻和优良的热性能，能够在有限的空间内实现高效的功率切换与控制。由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，DMN21D2UFB-7B在现代高密度PCB布局中具有显著优势，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及各类电池供电系统中。
这款MOSFET在栅极驱动电压方面兼容标准逻辑电平，支持3.3V或5V驱动信号，便于与微控制器或其他数字逻辑电路直接接口。此外，它具备良好的抗瞬态过载能力，并在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。产品符合RoHS环保标准，且无卤素（Halogen-free），满足现代电子产品对环境友好材料的要求。制造商还确保其生产流程遵循严格的品质控制体系，保证器件在批量应用中的可靠性与一致性。
型号：DMN21D2UFB-7B
类型：N沟道MOSFET
封装：DFN2020
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
漏源电压（Vds）：20V
连续漏极电流（Id）@25°C：4.1A
导通电阻Rds(on)@Vgs=1.8V：37mΩ
导通电阻Rds(on)@Vgs=2.5V：29mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.0V
最大功率耗散（Pd）：1W
输入电容（Ciss）：220pF
反向恢复时间（trr）：典型值15ns
极性：单N沟道
安装方式：表面贴装SMD
DMN21D2UFB-7B采用了先进的沟道结构设计与高精度制造工艺，使其在低电压驱动条件下依然能够实现极低的导通电阻，从而大幅降低导通损耗，提高整体系统效率。其Rds(on)在Vgs=2.5V时仅为29mΩ，在同类产品中处于领先水平，特别适合用于电池供电系统中对能耗极为敏感的设计场景。这种低导通电阻不仅有助于减少发热，还能提升电源转换效率，延长设备续航时间。
该器件的栅极阈值电压较低，典型值为0.8V，最低可在1.8V的栅极驱动下完全导通，因此非常适合与低压逻辑IC（如MCU、GPIO输出）直接配合使用，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。同时，其快速的开关速度和较小的输入电容（Ciss=220pF）使得在高频开关应用中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗，提升了动态响应能力。
DMN21D2UFB-7B的DFN2020封装具有极佳的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内部地层或散热区，有效降低结温上升幅度，提高了长期运行的稳定性和可靠性。该封装尺寸小巧，仅2.0mm×2.0mm，非常适合空间受限的高密度布局需求，如移动终端和微型传感器模块。
此外，该器件具备良好的抗静电能力（ESD保护）和稳健的短路耐受能力，在实际应用中表现出较强的鲁棒性。其工作结温可达150°C，适应严苛的工作环境，包括高温工业环境或密闭空间内的长时间运行。所有这些特性共同构成了一个高效、可靠、紧凑的功率开关解决方案，是现代低功耗电子系统中不可或缺的关键元件之一。
主要用于便携式电子设备中的电源开关、电池管理系统、负载开关控制、DC-DC转换器的同步整流、LED背光驱动电路、USB电源管理模块、热插拔控制器以及各种需要低电压驱动和高效率功率切换的场合。也常见于物联网节点、智能手表、无线耳机、传感器供电管理单元等对空间和功耗有严格要求的产品中。
DMG21D2UFG-7B, DMP21D2UFG-7B, FDN340P, BSS138
