时间：2025/4/28 11:28:59
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DMN2104L-7是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET晶体管，采用SOT-23封装形式。这款器件主要应用于低压、低功耗场景下的开关和负载驱动应用。其出色的导通电阻特性使其非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及通信系统中的功率管理电路。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极电荷：3nC（典型值）
工作结温范围：-55℃至150℃
DMN2104L-7具有以下显著特点：
1. 低导通电阻设计能够有效降低功率损耗，提高效率。
2. 小型化的SOT-23封装节省了PCB空间，特别适合紧凑型设计需求。
3. 较高的雪崩击穿能力和强健的ESD保护性能确保了器件在恶劣环境下的可靠性。
4. 快速开关速度降低了开关损耗，并且提升了系统的动态响应能力。
5. 宽泛的工作温度范围使得该器件适用于各种工业及商业应用场景。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的电源管理模块，例如手机和平板电脑。
2. 计算机外设中的开关控制单元，如USB端口保护与控制。
3. 各种消费类电子产品的负载开关应用。
4. LED照明系统的驱动电路。
5. 工业控制领域的信号切换与小型电机驱动。
DMN2106L-7
BS108
Si2302DS
