时间：2025/6/10 16:17:03
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DMN2100UDM是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用DFN3030-10封装形式，具有小尺寸、高效率和低导通电阻的特点。DMN2100UDM广泛应用于消费电子、通信设备以及便携式电子产品中，适合用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器等应用领域。
这款MOSFET的设计使其能够在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的热性能和电气性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极电荷：4nC
反向恢复时间：不适用（无内置二极管）
工作结温范围：-55℃至+150℃
DMN2100UDM具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
2. 小型化封装DFN3030-10，有助于节省PCB空间，非常适合对尺寸敏感的应用。
3. 高速开关能力，支持高频操作，适用于现代高效能电源设计。
4. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
5. 具备优秀的热稳定性和电气稳定性，确保在各种工作条件下的可靠性。
DMN2100UDM适用于多种应用场合，包括但不限于：
1. 消费类电子产品的负载开关，例如智能手机和平板电脑。
2. 同步整流电路中的开关元件，用于提高电源转换效率。
3. DC-DC转换器，提供稳定的电压输出以满足不同负载需求。
4. 电池管理系统的保护和控制功能。
5. LED驱动电路中的关键组件，实现精确的电流调节。
DMN2999UW, DMN2997UFQ
