时间：2025/8/2 8:32:36
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DMN2075UDW-7 是一款由 Diodes 公司生产的双通道、互补型 MOSFET 阵列，采用 N 沟道和 P 沟道组合结构，适用于高效率的电源管理和负载开关应用。该器件集成在一个紧凑的封装中，具有低导通电阻、高电流能力和良好的热性能，适用于便携式设备、DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关控制等场景。
类型：双通道 MOSFET 阵列（1 N 沟道 + 1 P 沟道）
漏极电流（ID）：N 沟道为 5A，P 沟道为 -5A
漏极-源极电压（VDS）：N 沟道为 20V，P 沟道为 -20V
导通电阻（RDS(on)）：N 沟道典型值为 60mΩ，P 沟道典型值为 90mΩ（在 VGS = 4.5V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：N 沟道为 0.65V ~ 1.5V，P 沟道为 -0.65V ~ -1.5V
封装：6-TSSOP（UDW）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
DMN2075UDW-7 具有出色的电气性能和热稳定性。其低导通电阻特性可显著降低功率损耗，提高系统效率。N 沟道和 P 沟道 MOSFET 的集成设计使得该器件适用于双向负载控制和同步整流应用。该器件支持快速开关操作，适用于高频 DC-DC 转换器和电源管理系统。此外，其紧凑的 TSSOP 封装有助于节省 PCB 空间，适用于空间受限的便携式电子产品。器件还具有良好的抗静电能力和过热保护性能，提高了系统的可靠性和稳定性。DMN2075UDW-7 采用绿色环保材料制造，符合 RoHS 标准，适用于工业和消费类电子产品。
在驱动能力方面，DMN2075UDW-7 可在低栅极电压下实现高效的导通状态，适用于 3.3V 和 5V 控制系统的兼容性。其栅极电荷较低，有助于降低开关损耗，提高整体能效。此外，该器件的漏极和源极之间具有较高的击穿电压耐受能力，能够在复杂的电气环境中保持稳定运行。
DMN2075UDW-7 主要用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。它也适用于电池供电系统的负载开关控制、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流电路以及电源多路复用器。在工业自动化和通信设备中，该器件可用于低电压电源管理系统和热插拔控制电路。此外，该器件还可用于 LED 驱动电路、电机控制模块和传感器供电系统，提供高效的电源切换和管理功能。
AO4449、Si3443DV-T1-GE3、FDMF6802、DMN2052UDK-13
