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DMN2065UWQ-7 发布时间 时间:2025/12/26 10:43:02 查看 阅读:12

DMN2065UWQ-7是一款由Diodes Incorporated生产的单通道N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,专为高效率和高性能的应用而设计。该器件封装在较小的6引脚DFN2020封装中,尺寸紧凑,适合对空间要求较高的便携式电子设备和高密度电路板布局。由于其低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,DMN2065UWQ-7广泛用于电源管理、负载开关、电池供电系统以及DC-DC转换器等应用中。该MOSFET符合RoHS环保标准,并具备良好的热性能,能够在有限的散热条件下稳定工作。此外,该器件还具有高栅极击穿电压能力,增强了在恶劣工作环境下的可靠性。
  作为一款表面贴装型功率MOSFET,DMN2065UWQ-7通过优化的芯片设计实现了低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss),从而减少了开关损耗,提高了整体系统能效。其工作结温范围可达-55°C至+150°C,适用于工业级和消费类电子产品。制造商提供的数据表明,该器件在VGS = 10V时,典型RDS(on)低至4.8mΩ,在VGS = 4.5V时约为6.2mΩ,表现出优异的导通性能。这使得它特别适合用于同步整流、电机驱动和热插拔控制等需要低功耗和快速响应的场合。

参数

型号:DMN2065UWQ-7
  类型:N沟道MOSFET
  封装:DFN2020-6
  通道数:1
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):5.5A
  脉冲漏极电流(ID_pulse):22A
  导通电阻(RDS(on))_max@VGS=10V:6.8mΩ
  导通电阻(RDS(on))_max@VGS=4.5V:8.5mΩ
  导通电阻(RDS(on))_typ@VGS=10V:4.8mΩ
  栅极电荷(Qg)_typ:5.8nC
  输入电容(Ciss)_typ:385pF
  输出电容(Coss)_typ:105pF
  反向恢复时间(trr):10ns
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  阈值电压(Vth)_min:0.6V
  阈值电压(Vth)_max:1.2V

特性

DMN2065UWQ-7采用了先进的沟槽型场效应晶体管结构,这种结构显著降低了导通电阻与芯片面积之间的比例,从而在小型封装下实现高效的电流传输能力。其最大RDS(on)在VGS=10V时仅为6.8mΩ,在VGS=4.5V时为8.5mΩ,确保了在低电压驱动条件下仍具备出色的导通性能,适用于3.3V或5V逻辑控制的开关应用。该器件的低栅极电荷(典型值5.8nC)使其能够快速开启和关闭,有效减少开关过程中的能量损耗,提升电源系统的整体效率。同时,较低的输入电容(Ciss=385pF)和输出电容(Coss=105pF)进一步降低了高频操作时的动态损耗,使其适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源设计。
  该MOSFET具备优良的热稳定性,DFN2020-6封装底部带有裸露焊盘,可有效将热量传导至PCB,增强散热能力,延长器件寿命。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C,支持极端温度环境下的可靠运行,适用于工业控制、汽车电子外围模块及便携式医疗设备等严苛应用场景。此外,±12V的栅源电压耐受能力提供了更高的抗干扰能力和驱动兼容性,避免因瞬态过压导致栅氧化层击穿。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间(trr=10ns),有助于减少非同步整流中的反向恢复损耗,提升系统效率。
  DMN2065UWQ-7符合AEC-Q101可靠性标准(如适用版本),并通过了无铅、无卤素等环保认证,满足现代电子产品对绿色制造的要求。其小尺寸封装不仅节省PCB空间,还便于自动化贴片生产,提高组装良率。综合来看,这款MOSFET以其低导通电阻、快速开关响应、良好热性能和高可靠性,成为中小功率电源管理领域中的理想选择之一。

应用

DMN2065UWQ-7因其高性能和小封装特点,被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关与负载切换,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池管理系统,用作充电路径控制或放电保护开关。在DC-DC转换器中,该器件常用于同步整流拓扑结构,替代传统肖特基二极管以降低导通损耗,提高转换效率,尤其适用于降压型(Buck)变换器的下管位置。
  此外,它也适用于电机驱动电路,特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为低端开关使用,凭借其低RDS(on)和快速响应能力,能够有效减少发热并提升控制精度。在热插拔控制器设计中,DMN2065UWQ-7可用于控制电源上电时序,防止浪涌电流冲击系统总线,保障后级电路安全。其他应用场景还包括LED驱动电路、USB电源开关、传感器供电控制以及各类需要高效、紧凑型功率开关的嵌入式系统。由于其具备良好的高温工作能力,也可用于部分工业自动化设备和汽车电子模块中,如车身控制单元、车载信息娱乐系统的电源管理部分。

替代型号

DMG2065UW-7
  SI2302CDS-T1-E3
  FDMN2065UC

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DMN2065UWQ-7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.58000剪切带(CT)3,000 : ¥0.78884卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)56 毫欧 @ 2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)400 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)700mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-323
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323