时间：2025/8/2 5:51:34
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DMN2041UFDB-7 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 Trench MOS 工艺制造。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高可靠性和紧凑的封装形式，适用于多种电源管理和负载开关应用。DMN2041UFDB-7 的封装形式为 TSOP（Thin Small Outline Package），尺寸小巧，适合高密度 PCB 设计。该器件广泛用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC 转换器、电机控制以及各种低电压功率开关电路中。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：-4.1A
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（Rds(on)）：@VGS=4.5V 时典型值为 32mΩ；@VGS=2.5V 时典型值为 48mΩ
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSOP
DMN2041UFDB-7 具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种功率应用中表现出色。
首先，该器件采用了先进的 Trench MOS 技术，显著降低了导通电阻 Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。在 4.5V 栅极驱动电压下，Rds(on) 的典型值仅为 32mΩ，即使在较低的 2.5V 栅极电压下，也能保持 48mΩ 的低导通电阻，这使其适用于低电压驱动电路，如电池供电设备中的开关电源管理。
其次，DMN2041UFDB-7 支持高达 -4.1A 的连续漏极电流，能够在中等功率负载下稳定工作。其最大漏源电压为 -20V，具备良好的电压耐受能力，适用于 12V 至 15V 电源系统的开关控制。
此外，该器件的封装形式为 TSOP，尺寸紧凑，便于在空间受限的设计中使用。其热阻较低，能够有效散热，提高了器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。
DMN2041UFDB-7 还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性，符合工业标准，适合用于汽车电子、工业控制、消费类电子产品等对稳定性和可靠性要求较高的应用场景。
DMN2041UFDB-7 广泛应用于多个领域的电子系统中，特别是在需要高效功率开关和低导通损耗的场合。
在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，DMN2041UFDB-7 常用于电源管理系统中的负载开关，能够有效地控制不同模块的供电，延长电池续航时间。
在电池管理系统中，该器件可作为充电/放电控制开关，用于防止过流、短路等异常情况对电池造成损害，提高系统的安全性。
在 DC-DC 转换器和同步整流电路中，DMN2041UFDB-7 可作为高边开关使用，配合 N 沟道 MOSFET 实现高效的电源转换，适用于 5V、12V 等低压电源系统。
此外，DMN2041UFDB-7 还可用于电机驱动电路、LED 照明调光控制、热插拔电源管理以及各种需要低电压功率开关的工业控制系统中。其高可靠性和紧凑封装使其成为许多高性能、空间受限应用的理想选择。
由于其具备良好的电气性能和热管理能力，DMN2041UFDB-7 也常用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、车身控制模块、车灯控制等，满足汽车电子对高稳定性和长寿命的要求。
AO3401, DMN2041UFD-7, BSS84P, Si2301DS, FDMC8200
