DMN2041LSD 时间：2025/4/27 12:20:46 阅读：4

DMN2041LSD 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小尺寸的 SOT-23 封装。该器件专为低电压、低功耗应用设计，具有极低的导通电阻（Rds(on)），适合用于负载开关、便携式设备、电池供电系统以及各种消费电子产品的电源管理电路中。
　　DMN2041LSD 的工作电压范围较宽，能够支持高达 30V 的漏源电压（Vds），同时具备快速开关特性和出色的热稳定性。由于其封装小巧且性能优越，这款 MOSFET 在空间受限的应用场合中非常受欢迎。

参数

最大漏源电压 Vds：30V
　　最大栅源电压 Vgs：±8V
　　连续漏极电流 Id：1.6A
　　导通电阻 Rds(on)：95mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
　　栅极电荷 Qg：4nC
　　总功耗 Ptot：410mW
　　工作结温范围 Tj：-55℃ 至 +150℃

特性

DMN2041LSD 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗，提高效率。
　　2. 小巧的 SOT-23 封装，适合高密度 PCB 布局。
　　3. 宽泛的工作电压范围（最高 30V），适用于多种应用场景。
　　4. 快速开关速度，降低开关损耗。
　　5. 热稳定性强，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。

应用

DMN2041LSD 广泛应用于以下领域：
　　1. 负载开关和电源管理电路。
　　2. 电池供电设备，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。
　　3. 数据通信和网络设备中的信号切换。
　　4. 电机驱动和小型直流电机控制。
　　5. 保护电路，例如过流保护和短路保护。
　　6. 消费类电子产品中的功率转换模块。