类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　连续漏极电流（ID）：-1.6A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4A
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：80mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：100mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.7V ~ -1.4V
　　栅极电荷（Qg）：2.3nC @ VGS = -4.5V
　　输入电容（Ciss）：230pF @ VDS = -10V
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-363（SC-88）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

DMN2026UVT-7作为一款高性能P沟道MOSFET，具备多项关键特性以满足现代低功耗电子系统的需求。首先，其-20V的漏源电压等级适合于多种低压直流电源应用，如3.3V或5V系统中的电源开关与极性保护电路。器件的低导通电阻是其核心优势之一，在VGS = -4.5V时典型值仅为65mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高能效并减少散热需求，特别适用于对温升敏感的紧凑型设计。
　　其次，该器件在低栅压驱动条件下仍能保持良好的导通性能，例如在VGS = -1.8V时RDS(on)仅为100mθ，这意味着它可以兼容现代微控制器或其他低电压逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，从而简化了整体设计复杂度并节省PCB空间。
　　再者，DMN2026UVT-7具有非常低的栅极电荷（典型值2.3nC），这一特性对于高频开关应用尤为重要，因为它减少了开关过程中的能量损耗，提升了系统的动态响应能力。同时，较小的输入电容（Ciss = 230pF）也有助于降低驱动电路的负载，进一步优化开关速度与功耗表现。
　　该器件采用SOT-363六引脚小尺寸封装，不仅体积小巧，还通过内部连接优化实现了良好的热传导性能。尽管封装微型化，但其仍能在适当布局下承受1.6A的连续漏极电流，展现出优异的电流处理能力与散热平衡。此外，工作温度范围覆盖-55°C至+150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行，适用于工业级及部分汽车电子应用场景。
　　最后，DMN2026UVT-7符合RoHS指令且为无卤素产品，体现了绿色环保的设计理念，适用于出口导向型电子产品或对环保有严格要求的项目。综合来看，这款MOSFET以其低RDS(on)、低Qg、宽温度范围和小型化封装，在便携式设备、移动电源、LED驱动、音频开关和电池管理系统中表现出色。

便携式电子设备中的电源开关与负载管理
　　电池供电系统的通断控制
　　低电压DC-DC转换器中的同步整流或开关元件
　　信号路径选择与模拟开关应用
　　过压/过流保护电路中的主动开关器件
　　微控制器I/O扩展驱动接口
　　智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源域隔离
　　消费类电子产品中的热插拔控制电路

DMG2302UK-7
　　AO3415