时间：2025/5/7 9:32:55
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DMN2024UTS 是一款来自 Diodes Inc 的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用微型 SOT23 封装，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其设计旨在满足便携式设备、消费电子及工业应用对小型 MOSFET 具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，同时支持高达 30V 的工作电压，确保在各种电路条件下的稳定运行。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：4nC
开关速度：快
封装类型：SOT23
DMN2024UTS 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，提高系统效率。
2. 高雪崩能力，提升器件可靠性。
3. 快速开关性能，适用于高频应用。
4. 微型封装设计，节省PCB空间。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 提供出色的热稳定性，适合多种工作环境。
DMN2024UTS 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 消费类电子产品中的信号切换。
5. 工业控制设备中的电机驱动。
6. 便携式设备中的电源管理。
DMN2025UFQ, BSS138, AO3400
