时间：2025/6/21 9:06:38
阅读：4
GA1206A821KBABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及优秀的热稳定性。
其封装形式为 DPAK（TO-252），适合表面贴装技术（SMT），能够满足紧凑型设计需求。同时，它具有出色的电气性能，适用于多种工业及消费类电子产品。
型号：GA1206A821KBABR31G
类型：N沟道增强型MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
ID（持续漏极电流）：80A
Qg（总栅极电荷）：45nC
VGS(th)（栅极开启电压）：2V~4V
封装：DPAK（TO-252）
工作温度范围：-55℃~175℃
GA1206A821KBABR31G 的核心优势在于其卓越的电气性能和可靠性。首先，它具有非常低的导通电阻（RDS(on) 仅为 4.5mΩ），这使得功率损耗显著降低，提高了系统的整体效率。其次，该器件支持高达 80A 的持续漏极电流，并能在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内稳定运行。
此外，其栅极电荷较小（Qg = 45nC），有助于实现更快的开关速度并减少开关损耗。GA1206A821KBABR31G 还具有良好的短路耐受能力，在过载或异常情况下可以提供更高的安全性。
DPAK 封装进一步增强了散热性能，使其非常适合大功率应用环境。
这款 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动
3. 汽车电子系统，如 DC/DC 转换器和电池管理系统
4. 各种负载切换电路
5. 逆变器和 UPS 系统中的功率级组件
由于其强大的性能和可靠性，GA1206A821KBABR31G 成为许多工程师在设计高效功率转换电路时的理想选择。
IRFZ44N
STP80NF06
FDP8870
