型号：DMN2019UTS-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　封装类型：SOT-23 (SC-70)
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-1.7A (TA=25°C)
　　脉冲漏极电流(IDM)：-4.2A
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -4.5V, ID = -1.0A
　　导通电阻(RDS(on))：65mΩ @ VGS = -2.5V, ID = -1.0A
　　导通电阻(RDS(on))：95mΩ @ VGS = -1.8V, ID = -0.8A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：220pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
　　输出电容(Coss)：180pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
　　开启延迟时间(td(on))：7ns
　　关断延迟时间(td(off))：18ns
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C

DMN2019UTS-13的核心优势在于其低导通电阻与小封装尺寸的完美结合，这使得它在高密度PCB布局中表现出色。其RDS(on)在典型工作条件下可低至55mΩ（当VGS=-4.5V时），显著降低了导通损耗，提高了整体能效。这种低RDS(on)特性尤其适用于电池供电系统，有助于延长设备续航时间。此外，该器件在较低栅极驱动电压下仍能保持良好性能，在VGS=-2.5V时RDS(on)仅为65mΩ，说明其对现代低电压逻辑控制信号具有良好的兼容性，可直接由微控制器或数字IC驱动，无需额外驱动电路。
　　该MOSFET采用先进的沟槽技术制造，优化了载流子迁移路径，提升了开关速度和热稳定性。快速的开关响应（开启延迟约7ns，关断延迟约18ns）使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器中的同步整流或负载切换。同时，其较小的输入和输出电容（Ciss=220pF，Coss=180pF）减少了开关过程中的能量损耗，进一步提升了效率。
　　SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，通过PCB焊盘可有效传导热量。尽管封装小巧，但该器件仍能承受最高150°C的工作结温，适应严苛环境下的长期运行。此外，其负向栅极阈值电压范围（-0.6V至-1.0V）确保了器件在未完全上电或待机状态下不会意外导通，增强了系统的可靠性与安全性。
　　DMN2019UTS-13还具备出色的抗静电能力（HBM ESD rated），并在生产过程中经过严格的质量控制，确保批次一致性与长期可靠性。这些特性使其成为智能手机、平板电脑、可穿戴设备及便携式医疗仪器中理想的功率开关元件。

DMN2019UTS-13主要应用于需要高效、小型化功率控制的各类电子系统。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关与负载管理模块，例如在智能手机和平板电脑中用于控制显示屏背光、摄像头模组或传感器的供电通断，以实现节能与功能隔离。此外，它也广泛用于电池管理系统（BMS）中作为充放电路径的控制开关，利用其低导通电阻减少能量损耗，提升电池使用效率。
　　在DC-DC转换器拓扑结构中，该器件可用于同步降压电路中的上管或下管配置，尤其是在输入电压较低（如3.3V或5V系统）的应用中表现优异。其快速开关能力和低寄生电容有助于提高转换效率并降低电磁干扰（EMI）。另外，由于其具备良好的线性区控制能力，也可用于恒流源或线性稳压器的设计中。
　　工业与通信领域中，DMN2019UTS-13常被用作信号多路复用器或模拟开关的控制元件，特别是在需要双向信号传输或电源域切换的场合。其P沟道结构使其在高边开关应用中尤为方便，仅需简单的逻辑电平即可完成通断控制，避免了复杂的自举电路设计。
　　此外，该器件还适用于USB电源开关、热插拔控制器、IoT终端节点、无线耳机充电仓、智能手表等对体积和功耗高度敏感的产品中。凭借其高可靠性和成熟的供应链支持，DMN2019UTS-13已成为许多工程师在设计低压P-MOS解决方案时的首选之一。

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　　 "DMP2019UFG-7",
　　 "FDMS7682",
　　 "Si2301BDS",
　　 "FDD8858",
　　 "RTQ2019-1G"
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