型号：K8P5616UZB-EI4E
　　制造商：Samsung
　　存储类型：GDDR5 SGRAM
　　容量：8Gb (1GByte)
　　组织结构：16M x 32 x 16 Banks
　　数据速率：7 Gbps / 8 Gbps（可选版本）
　　接口类型：1.5V SSTL
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.5V ±0.075V，VPP = 2.0V
　　封装形式：96-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 0.8mm
　　数据总线宽度：32位
　　每颗颗粒位宽：x32
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　符合RoHS环保标准：是

K8P5616UZB-EI4E 具备多项先进特性，使其成为高性能图形内存的理想选择。首先，它采用了双倍数据速率（DDR）架构，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，显著提升了数据吞吐能力。其最高数据传输速率可达8 Gbps，配合高位宽设计，能够在GPU与显存之间实现高达256 Gbps以上的聚合带宽（以多颗组合使用为例），有效避免图形处理中的带宽瓶颈问题。
　　其次，该芯片内置了动态电源管理机制，支持多种低功耗模式，包括自动进入自刷新状态以降低待机功耗。温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据芯片内部温度自动调节刷新周期，在高温环境下减少不必要的电流消耗，从而延长系统寿命并提升能效。这一特性对于长时间高负载运行的显卡尤为重要。
　　再者，K8P5616UZB-EI4E 拥有16个内部存储体（Banks），支持交错式访问操作，允许在不同Bank间进行快速切换，大幅提高内存访问效率和并发处理能力。这种多Bank架构有助于隐藏行访问延迟，提升整体响应速度。
　　此外，该器件采用96球FBGA封装，具有优异的热传导性能和抗干扰能力，适合高密度PCB布局。其紧凑的封装尺寸也使得显卡厂商可以在有限空间内部署更多显存颗粒，构建更大容量的显存系统。同时，所有I/O接口均支持阻抗匹配和驱动强度调节，确保信号完整性，尤其是在高频工作条件下仍能保持稳定通信。
　　最后，K8P5616UZB-EI4E 支持ZQ校准功能，可通过外部参考电阻对输出驱动和终端电阻进行精确调整，补偿因工艺、电压和温度变化引起的阻抗漂移，进一步保障高速信号传输的可靠性。这些综合特性使其在性能、功耗与稳定性之间达到了良好平衡，适用于对显存性能有严苛要求的应用场景。

K8P5616UZB-EI4E 主要应用于需要高带宽、低延迟图形内存的各种电子设备中。最常见的用途是在独立显卡上作为主显存单元，广泛用于中高端桌面级GPU，如NVIDIA GeForce GTX 900系列或AMD Radeon R9系列的部分型号。这些显卡通常面向游戏玩家、内容创作者和专业设计师，用于运行大型3D游戏、进行高清视频剪辑、3D建模与渲染等高负载任务，而K8P5616UZB-EI4E所提供的高数据速率和稳定性能正好满足这些需求。
　　除了消费类显卡外，该芯片也被应用于专业图形工作站和服务器级绘图卡中，支持CAD/CAM、科学可视化、虚拟现实（VR）开发和AI训练中的图形预处理等复杂运算。在这些环境中，显存不仅要具备高带宽，还需保证长时间运行的可靠性和热稳定性，而K8P5616UZB-EI4E 的温度补偿自刷新和低功耗管理模式恰好提供了必要的支持。
　　此外，一些嵌入式视觉系统、高端监控设备以及工业图像采集平台也可能采用此类GDDR5颗粒，以应对实时图像处理带来的大数据量吞吐挑战。虽然近年来GDDR6和GDDR6X已逐渐成为主流，但在某些成本敏感或原有设计延续的项目中，K8P5616UZB-EI4E 仍具有一定的市场存在价值。随着二手显卡市场的流通，该型号芯片也常见于维修替换和DIY升级场景中，为用户提供可靠的原厂级显存解决方案。

K4G80325FB-HC03
　　K4G80325FB-HC14
　　K4G80325FB-HC06