时间：2025/4/30 15:55:01
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DMN2011UTS是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET功率晶体管，采用超小型DFN2020-6封装。该器件主要设计用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，适合空间受限的设计。它具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及快速开关特性，能够有效减少功耗并提高系统效率。
DMN2011UTS广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、负载开关、DC-DC转换器以及其他低压功率转换电路中。
最大漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：1.8A
导通电阻(Rds(on))：75mΩ (典型值，在Vgs=4.5V时)
栅极电荷(Qg)：3nC (典型值)
输入电容(Ciss)：130pF (典型值)
工作结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
封装类型：DFN2020-6
DMN2011UTS具备以下特点：
1. 极低的导通电阻确保在高电流条件下减少功率损耗。
2. 小型化的DFN2020-6封装使其非常适合对PCB空间要求较高的应用。
3. 快速开关速度有助于降低开关损耗，提升整体效率。
4. 较宽的工作结温范围允许其在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 高可靠性和耐用性，适用于多种工业和消费类电子产品。
DMN2011UTS的典型应用场景包括：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理单元。
3. DC-DC转换器和升压/降压电路中的开关元件。
4. 各种电机驱动和LED照明控制电路。
5. 数据通信和网络设备中的信号切换与保护功能。
6. 消费类电子产品的适配器和充电器设计。
DMN2019UCS, DMN2020LDT, BSS138
