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DMN2005K-7 发布时间 时间:2025/5/7 14:53:00 查看 阅读:8

DMN2005K-7 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用小尺寸的 SOT-23 封装,适用于空间受限的应用场景。DMN2005K-7 主要用于需要高效率和低导通电阻的电路设计。
  这款 MOSFET 的典型应用包括负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路以及便携式电子设备中的功率管理。由于其低导通电阻和快速开关特性,DMN2005K-7 在高频开关应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:1.4A
  导通电阻(Rds(on)):0.45Ω(在 Vgs=4.5V 时)
  栅极电荷:1.6nC
  总电容(Ciss):14nF
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

DMN2005K-7 提供了卓越的性能表现,具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),可有效减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 小型 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  4. 较宽的工作温度范围,能够在各种极端条件下稳定运行。
  5. 高可靠性和耐用性,满足现代电子设备对质量和寿命的要求。

应用

DMN2005K-7 广泛应用于各类消费类电子产品和工业设备中,具体应用领域包括:
  1. 手机和平板电脑等便携式设备的电源管理。
  2. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电池供电系统的负载开关和保护电路。
  4. 各种电机驱动和控制电路。
  5. 信号放大和调节电路中的开关元件。

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DMN2005K-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.7 欧姆 @ 200mA,2.7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大350mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)