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IRGIB10B60KD1P 发布时间 时间：2023/3/6 16:50:19 查看 阅读：490

    类别：分离式半导体产品

    家庭：IGBT - 单路

    系列：-

 

目录

概述

    类别：分离式半导体产品

    家庭：IGBT - 单路

    系列：-

    IGBT 类型：NPT

    电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V

    Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V, 10A

    电流 - 集电极 (Ic)（最大）：16A

    功率 - 最大：44W

    输入类型：标准型

    安装类型：通孔

    封装/外壳：TO-220-3 全封装（直引线）

    包装：管件

    供应商设备封装：TO-220AB 整包

    其它名称：*IRGIB10B60KD1P


资料

厂商
Infineon / IR

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IRGIB10B60KD1P产品

IRGIB10B60KD1P参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）2.1V @ 15V，10A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）16A
  • 功率 - 最大44W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220AB 整包
  • 包装管件
  • 其它名称*IRGIB10B60KD1P

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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