时间：2025/8/2 8:46:58
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DMN2004VK-7 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的小信号 MOSFET 晶体管，采用 P 沟道增强型工艺技术。该器件设计用于高性能、低电压和低电流的开关应用，适用于便携式电子设备、电源管理系统和逻辑电路等场景。这款 MOSFET 封装为 SOT-223，适合表面贴装技术（SMT）安装，具备较高的可靠性和热稳定性。
类型：P 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：-20V
最大栅源电压 (Vgs)：±8V
连续漏极电流 (Id)：-400mA
功耗 (Pd)：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-223
DMN2004VK-7 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），在 -4.5V 栅极驱动电压下可低至约 0.27Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗。
这款 MOSFET 具备良好的热性能，SOT-223 封装提供了较高的散热能力，能够在较高负载条件下保持稳定运行。其小型封装设计也适用于空间受限的应用场景，如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备。
DMN2004VK-7 的另一个优势是其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C），适合在恶劣环境条件下运行。此外，该器件的绝对最大额定值设计确保了其在各种工作条件下的可靠性和耐用性。
DMN2004VK-7 广泛应用于多个领域，包括但不限于便携式消费电子产品中的电源管理、电池供电设备中的开关电路、DC-DC 转换器和负载开关控制。在嵌入式系统和微控制器外围电路中，该 MOSFET 可用于控制外围设备的电源供应，从而实现节能和高效管理。
在工业自动化和通信设备中，DMN2004VK-7 也常用于低电压信号切换和隔离电路。其高频开关能力和低功耗特性使其成为理想的逻辑级开关器件，尤其适用于需要快速响应和节能设计的系统。
此外，该器件还可用于 LED 驱动电路、继电器替代电路和电机控制电路中，提供高效、可靠的开关功能。
Si2302DS, FDN304P, DMN2004K
