时间：2025/6/25 11:05:14
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DMN13H750S是一款由Diodes Incorporated生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用SO-8封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种功率转换和负载切换应用。其设计旨在提供高效的功率管理解决方案，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
该器件属于N沟道增强型MOSFET，工作电压范围宽广，能够承受较高的漏源电压，同时具备出色的电流承载能力，适合需要高效能和高可靠性的应用环境。
最大漏源电压(VDS)：100V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：4.3A
导通电阻(RDS(on))：150mΩ
栅极电荷(Qg)：9nC
总功耗(PD)：1.1W
工作结温范围(TJ)：-55℃至+150℃
封装类型：SO-8
DMN13H750S具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，在典型条件下可以显著降低传导损耗。
2. 高开关速度，能够实现快速的开启和关闭操作，从而提高整体效率。
3. 强大的雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 紧凑的SO-8封装，节省PCB空间并简化布局设计。
6. 良好的热性能，能够在较高温度范围内稳定运行。
7. 优异的静电放电(ESD)保护性能，提高了产品的可靠性。
DMN13H750S适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)电路。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 各类负载开关和电机驱动电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
5. 消费类电子产品中的背光驱动和音频放大器电路。
6. 工业自动化设备中的信号调理和接口电路。
7. 通信设备中的电源管理和信号传输部分。
DMN13H750L, DMN13H750T
