时间：2025/7/23 13:33:43
阅读：5
STB3NC60 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高电压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道结构，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。该器件设计用于工作在高电压环境中，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于DC-DC转换器、AC-DC电源、电机控制、功率因数校正（PFC）以及工业自动化设备等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID@25°C）：3A
栅极阈值电压（VGS(th)）：约3V至5V
导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值）
最大功耗（PD）：40W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
技术：高压超级结MOSFET技术
STB3NC60 采用了先进的高压超级结（Super Junction）技术，显著降低了导通电阻并提高了器件的开关性能，从而提升了整体效率。该器件具有较低的栅极电荷（Qg），有助于在高频开关应用中减少驱动损耗。其漏极电流能力稳定，在高温环境下仍能保持良好的性能，适用于要求较高的工业和电源管理系统。此外，该MOSFET具备较高的抗雪崩能力，能够在极端条件下提供可靠的保护机制。该器件的封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适用于多种标准电路设计。
此外，STB3NC60在设计上优化了电磁干扰（EMI）性能，使其在高频率工作时对周围电路的干扰降到最低，从而提升系统的稳定性。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在长时间运行过程中保持较低的温度上升，从而提高系统的可靠性和寿命。
STB3NC60 常用于各种高电压和高功率的电源系统，例如离线式开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电池充电器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电机控制模块等。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET也广泛应用于家用电器、工业设备以及智能电网相关系统中。
STF3NK60Z, STP3NK60Z, FQP3N60C, IRFBC30
