型号：DMN13H750S-7
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID，连续）：-4.9A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-10A
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：55mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　导通电阻RDS(on)：75mΩ（@ VGS = -1.8V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.85V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：330pF（@ VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：210pF（@ VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：45pF（@ VDS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：5.5nC（@ VGS=4.5V）
　　功耗（PD）：1W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-363（SC-88）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

DMN13H750S-7采用了先进的沟槽型MOSFET结构设计，使其在低电压驱动条件下依然能够实现非常低的导通电阻，显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整个系统的能效。其RDS(on)在VGS=-4.5V时仅为45mΩ，在VGS=-2.5V时为55mΩ，说明即使在较低的逻辑电平驱动下也能维持出色的导通性能，这使得它特别适用于由3.3V或更低电压供电的微控制器直接驱动的应用场合。这种低阈值和低导通电阻的组合，有效减少了发热问题，提升了系统可靠性。
　　该器件具备优良的开关速度与电容匹配特性，输入电容Ciss为330pF，输出电容Coss为210pF，反向传输电容Crss为45pF，这些参数表明其在高频开关应用中具有较小的驱动损耗和较快的响应能力，适用于需要快速开启/关闭操作的电源管理电路。同时，其栅极电荷Qg仅5.5nC（@ VGS=4.5V），意味着驱动电路所需提供的能量较少，有利于降低控制器负担并提升整体效率。
　　SOT-363封装是该器件的一大亮点，体积小巧（典型尺寸约1.6mm x 2.0mm x 0.9mm），非常适合高度集成的便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端产品。尽管封装尺寸小，但其引脚布局合理，具备良好的散热路径，结合适当的PCB铜箔设计，可以有效散出工作时产生的热量，避免局部过热导致性能下降。
　　DMN13H750S-7还具备较强的环境适应性，支持-55°C至+150°C的工作结温范围，确保在极端温度条件下仍能稳定运行。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等，保证长期使用的稳定性与安全性。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，可在某些特定拓扑中提供续流路径，进一步扩展其应用灵活性。

DMN13H750S-7广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中。常见用途包括作为负载开关用于控制不同功能模块的供电通断，例如在移动设备中控制显示屏、摄像头或无线通信模块的电源，以实现节能待机和按需供电。其低导通电阻和快速响应能力使其成为理想的选择。
　　在电池供电系统中，该器件可用于电池反接保护、充放电路径切换以及多电源选择电路（如USB供电与电池之间的自动切换）。由于其P沟道结构无需额外的电荷泵即可实现高端驱动，简化了电路设计，降低了成本和复杂度。
　　此外，DMN13H750S-7也常用于同步整流型DC-DC转换器中作为上管使用，尤其是在降压（Buck）变换器中配合N沟道MOSFET构成非隔离式电源架构。其快速开关特性和低栅极驱动需求有助于提升转换效率，特别是在轻载和中等负载条件下表现优异。
　　在便携式医疗设备、智能家居传感器节点、蓝牙耳机、智能手表等对空间和功耗极为敏感的产品中，DMN13H750S-7凭借其小尺寸封装和高效性能，成为设计师首选的功率开关元件之一。同时也适用于各种工业控制模块、LED驱动电路和热插拔电源接口中，提供安全可靠的电力控制解决方案。

DMG2305UX-7
　　DMG2307LFG-7
　　FDS6670AZ