时间：2025/12/26 12:23:39
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DMN1260UFA-7B是一款由Diodes Incorporated生产的高性能N沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低功耗应用而设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中。其小型化封装和优异的电气性能使其成为便携式电子产品中的理想选择。该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，能够在有限的空间内实现高效的功率控制。此外，DMN1260UFA-7B符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品的严格要求。由于其高集成度和可靠性，该器件在消费类电子、工业控制和通信设备中得到了广泛应用。
型号：DMN1260UFA-7B
通道类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：5.3A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：21A
导通电阻RDS(on)：12mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻RDS(on)：16mΩ @ VGS=2.5V
阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
输入电容(Ciss)：320pF @ VDS=10V
反向恢复时间(trr)：9ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-363 (SC-88)
功率耗散(PD)：350mW
DMN1260UFA-7B采用先进的TrenchFET工艺技术，具备极低的导通电阻，显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。其RDS(on)典型值仅为12mΩ（在VGS=4.5V条件下），使得在大电流应用下仍能保持较低的温升，提升了系统的热稳定性和可靠性。该器件的阈值电压较低，范围在0.6V至1.0V之间，支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或更低电压的控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并节省了PCB空间。
该MOSFET具有较小的输入电容（Ciss=320pF）和快速的开关响应能力，适用于高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器和负载开关电路。其反向恢复时间短（trr=9ns），有效减少了体二极管反向恢复带来的能量损耗和电压尖峰，从而提升系统效率并降低EMI干扰。此外，器件内部结构优化减少了寄生参数的影响，进一步增强了高频工作的稳定性。
DMN1260UFA-7B采用SOT-363（SC-88）超小型六引脚封装，尺寸紧凑，非常适合对空间敏感的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等。该封装还提供了良好的散热性能，通过PCB布局可实现有效的热传导。器件的工作结温可达+150°C，具备出色的过载能力和环境适应性。同时，产品通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适合对可靠性要求较高的工业与汽车电子应用。
在制造工艺上，该器件采用无铅、无卤素材料，符合RoHS和Green Package环保标准，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。其高重复性与良率保证了批量生产中的一致性与稳定性，便于自动化贴片与回流焊工艺。总体而言，DMN1260UFA-7B是一款集高性能、小尺寸与环保特性于一体的先进功率MOSFET，在多种低压大电流开关场景中表现出色。
DMN1260UFA-7B主要用于需要高效能、小尺寸功率开关的场合。典型应用包括便携式电子设备中的电源管理单元，例如智能手机和平板电脑中的电池充电与放电路径控制。它常被用作负载开关，用于开启或关闭特定功能模块的供电，以实现节能待机模式。在DC-DC转换器中，尤其是同步整流型降压电路中，该器件作为下管或上管使用，利用其低导通电阻减少功率损耗，提高转换效率。此外，它也适用于USB电源开关、LED背光驱动电路、电机驱动控制以及各类低电压数字逻辑接口的功率切换应用。由于其支持逻辑电平驱动，因此可以直接连接微控制器GPIO口进行通断控制，广泛应用于嵌入式系统和物联网终端设备中。工业手持设备、医疗监测仪器以及无线通信模块也是其常见应用场景。
DMG1012UFG-7
DMN6060LSD-7
AOZ4612AQI-02
