时间：2025/5/15 14:22:37
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DMN10H220LFVW 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 LFPAK8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能应用。其设计优化了功率转换效率和热性能，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压：100V
最大连续漏电流：220A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
总电容（输入电容）：3650pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
DMN10H220LFVW 的主要特点是低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，它具备较高的开关速度，能够适应高频应用场景。此外，该器件的 LFPAK8 封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性。
在电气性能方面，这款 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，能够承受较高电压的应用场景。而其高达 220A 的连续漏电流能力，则使其非常适合需要大电流驱动的电路。
为了简化驱动电路设计，DMN10H220LFVW 的栅极阈值电压经过优化，在保证可靠性的前提下降低了驱动功耗。综合来看，这款 MOSFET 在效率、性能和可靠性之间取得了良好的平衡。
DMN10H220LFVW 广泛应用于直流电机驱动、电池保护、负载开关、电源管理等场合。由于其卓越的大电流承载能力和低导通电阻，它特别适合以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 电动工具中的无刷直流电机驱动
3. 电动车窗及座椅调节系统
4. 工业自动化设备中的功率控制模块
5. 笔记本电脑和其他便携式设备的充电管理电路
DMN11H220LFTVW, DMN10H220LSECTVW
