时间：2025/4/27 12:44:09
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DMN10H170SVTQ 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SuperSOT-6 封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适合用于各种高效能、空间受限的应用场景。
这款 MOSFET 在消费类电子产品、计算机外设、通信设备及工业控制等领域中广泛使用，尤其是在需要高频开关和高效率转换的应用中。
型号：DMN10H170SVTQ
封装：SuperSOT-6 (SC-74A)
VDS（漏源电压）：170 V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.2 Ω（在 VGS = 10V 时）
ID（连续漏极电流）：0.38 A
fT（特征频率）：5 MHz
功耗：190 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
DMN10H170SVTQ 提供了非常低的导通电阻，这使其能够以最小的传导损耗实现高效的功率转换。此外，它还具备快速的开关性能，非常适合高频应用。其小型化的 SuperSOT-6 封装为设计者提供了节省空间的解决方案，同时保持良好的散热性能。
该器件具有优异的雪崩能力和抗静电能力（ESD），确保了在严苛环境下的可靠运行。此外，由于其高击穿电压和低漏电流，DMN10H170SVTQ 可在多种电源管理应用中提供卓越的性能表现。
DMN10H170SVTQ 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流
2. DC-DC 转换器
3. 电池保护电路
4. 固态继电器
5. 各种消费类电子产品的负载开关
6. 电机驱动与控制
7. 工业自动化设备中的信号切换
得益于其紧凑的封装和高性能指标，DMN10H170SVTQ 成为众多便携式设备的理想选择。
DMN11H170SCTQ, DMN10H170LHTQ
