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AO4821 发布时间 时间:2025/5/23 6:07:43 查看 阅读:15

AO4821是一种由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET。该器件采用DFN5*6-8L封装,广泛应用于需要高效功率转换和开关的场合。AO4821因其低导通电阻和快速开关特性而备受青睐,适用于消费电子、工业设备以及通信设备中的多种应用。

参数

漏源极电压:30V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻:2.2mΩ
  栅极电荷:19nC
  总电容:1720pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AO4821具有非常低的导通电阻,仅为2.2mΩ,这有助于降低功率损耗并提高整体效率。同时,其栅极电荷较小(19nC),可以实现快速开关,从而减少开关损耗。
  此外,AO4821采用了先进的制造工艺,确保了在高频操作下的稳定性和可靠性。它的小型DFN5*6-8L封装使其非常适合空间受限的应用场景,同时具备出色的散热性能。
  该器件还支持较宽的工作温度范围(-55℃至150℃),能够在恶劣环境下保持正常运行,非常适合工业级应用。

应用

AO4821适用于多种电力电子领域,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。由于其高电流承载能力和低导通电阻,它特别适合于需要高效功率传输的系统。
  此外,AO4821的小型封装和低热阻特性使得它成为便携式电子产品中理想的功率管理解决方案。

替代型号

AO4822
  IRF7822
  SI4462DY

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AO4821参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)850mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2100pF @ 6V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)