时间：2025/7/9 22:07:40
阅读：9
DMN10H099SK3-13 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的开关性能，非常适合于各种电源管理应用，包括开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。
这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88，是一种小型化且高效的表面贴装封装，能够提供良好的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：7.2A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ
栅极电荷：13nC
总电容（Ciss）：1190pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
DMN10H099SK3-13 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 小型化的 LFPAK88 封装，有助于节省 PCB 空间并提升散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
DMN10H099SK3-13 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率转换级。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
3. 各种负载开关应用场景，例如便携式电子设备中的电源路径管理。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 电池保护电路中用作开关元件。
6. 工业自动化及汽车电子中的功率控制模块。
DMN10H099S, DMN10H099SK3
