ZVN4424GTC 是一款 N 沟道垂直 DMOS 功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用而设计。该器件采用 TO-252 封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率转换电路。
这款 MOSFET 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、开关电源、负载开关以及电池保护等。其高效率和高可靠性使其成为许多电力电子设备的理想选择。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:4.8A
脉冲漏极电流:13.5A
导通电阻:0.15Ω
总电荷量:19nC
栅极电荷:7nC
输入电容:490pF
输出电容:200pF
反向传输电容:100pF
工作结温范围:-55℃ 至 150℃
ZVN4424GTC 提供了出色的性能表现:
1. 高击穿电压(60V)确保其能够承受较大的电压波动。
2. 极低的导通电阻(0.15Ω)可减少传导损耗,提高整体系统效率。
3. 快速开关能力得益于较小的栅极电荷(7nC),从而降低开关损耗。
4. 优化的封装设计有助于提升散热性能,延长器件寿命。
5. 在高温环境下仍能保持稳定运行,适合工业和汽车应用领域。
6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
ZVN4424GTC 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. LED 照明系统的恒流控制。
5. 电池管理系统中的保护开关。
6. 负载开关和过流保护电路。
由于其出色的电气特性和可靠性,ZVN4424GTC 成为众多高性能应用的首选元件。
ZVN4425GTC, ZVN4426GTC