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ZVN4424GTC 发布时间 时间:2025/5/10 10:53:15 查看 阅读:3

ZVN4424GTC 是一款 N 沟道垂直 DMOS 功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用而设计。该器件采用 TO-252 封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率转换电路。
  这款 MOSFET 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、开关电源、负载开关以及电池保护等。其高效率和高可靠性使其成为许多电力电子设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:4.8A
  脉冲漏极电流:13.5A
  导通电阻:0.15Ω
  总电荷量:19nC
  栅极电荷:7nC
  输入电容:490pF
  输出电容:200pF
  反向传输电容:100pF
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃

特性

ZVN4424GTC 提供了出色的性能表现:
  1. 高击穿电压(60V)确保其能够承受较大的电压波动。
  2. 极低的导通电阻(0.15Ω)可减少传导损耗,提高整体系统效率。
  3. 快速开关能力得益于较小的栅极电荷(7nC),从而降低开关损耗。
  4. 优化的封装设计有助于提升散热性能,延长器件寿命。
  5. 在高温环境下仍能保持稳定运行,适合工业和汽车应用领域。
  6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

ZVN4424GTC 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流管。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. LED 照明系统的恒流控制。
  5. 电池管理系统中的保护开关。
  6. 负载开关和过流保护电路。
  由于其出色的电气特性和可靠性,ZVN4424GTC 成为众多高性能应用的首选元件。

替代型号

ZVN4425GTC, ZVN4426GTC

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ZVN4424GTC参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)240V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds200pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)