时间：2025/8/2 6:49:02
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DMN1008UFDF-7 是一款由 Diodes 公司制造的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，适合在需要高效能和小尺寸封装的应用中使用。该 MOSFET 的封装类型为 SOT-23F，便于表面贴装，适用于各种便携式电子设备和电源管理系统。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：4.1A
导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻(Rds(on))：10.5mΩ @ Vgs=2.5V
功率耗散(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23F
DMN1008UFDF-7 具备一系列优异的电气特性，使其在各种功率管理应用中表现出色。首先，该器件的低导通电阻确保了在高电流条件下的低功耗，从而提高了系统的整体效率。其 Rds(on) 值在 Vgs=4.5V 时为 8.5mΩ，在 Vgs=2.5V 时为 10.5mΩ，这使得该 MOSFET 可以在较低的栅极驱动电压下依然保持良好的性能。
其次，DMN1008UFDF-7 提供了良好的热稳定性。由于其先进的沟槽技术，该器件在高温条件下依然能够维持稳定的性能，不会因温度升高而导致显著的性能下降。这使其非常适合在高负载或高温环境中使用。
此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持从 2.5V 到 4.5V 的工作电压，提供了更大的设计灵活性。这种特性使得该器件可以与多种控制器或驱动器兼容，适用于多种电路设计场景。
最后，DMN1008UFDF-7 的封装形式为 SOT-23F，具有较小的封装尺寸，适用于高密度 PCB 布局。该封装不仅有助于节省空间，还能简化装配过程，提高生产效率。
DMN1008UFDF-7 主要用于需要高效功率管理的应用场景，包括但不限于便携式电子产品、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理模块。在这些应用中，该器件能够有效地控制电流流动，确保系统的高效运行。例如，在电池供电设备中，该 MOSFET 可以作为负载开关使用，以减少静态电流并延长电池寿命。在 DC-DC 转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率，减少能量损耗。此外，该器件还可用于各种电源管理系统中，以实现对多个电源轨的高效控制。
Si2301DS, BSS138, FDS6675, IRML2802
