时间：2025/5/13 12:46:42
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DMN1004UFV 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用超小型 SOT-563 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC-DC 转换器和电池保护等应用。
该器件的工作电压范围为 20V，能够提供高效的功率转换，并且其极小的封装尺寸使得它在空间受限的应用中非常有用。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（典型值）：85mΩ
栅极电荷（典型值）：3nC
总电容：4.9pF
功耗：0.3W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN1004UFV 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，可降低开关损耗。
3. 高度集成的小型 SOT-563 封装，节省 PCB 空间。
4. 较宽的工作电压范围，适用于多种电源应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 高可靠性，在极端温度条件下也能稳定工作。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. DC-DC 转换器和降压电路。
3. 电池保护和管理电路。
4. 便携式电子设备中的电源管理。
5. LED 驱动和背光控制。
6. 一般用途的开关和保护电路。
DMN2004UFV
NTMFS4836NL
Si2302DS
