晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：200 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：40 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：60 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　直流电流增益（hFE）：100 至 300（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

DMMT3904W_R1_00001 晶体管具备多项显著特性，适用于各种电子电路设计。
　　首先，该晶体管具有优异的高频性能，其增益带宽积（fT）可达 100 MHz，使其适用于高频放大和射频（RF）相关应用。这在通信设备、射频前端电路以及无线模块中尤为重要。
　　其次，该器件具有较高的电流增益（hFE），在不同集电极电流下可维持在 100 到 300 的范围内，从而保证其在小信号放大器中的稳定表现。hFE 的分档机制（例如 hFE 分为不同等级）使得用户可以根据具体需求选择合适增益等级的器件，提升电路性能的一致性。
　　再者，该晶体管的最大集电极电流为 200 mA，适用于低至中功率的开关应用。其集电极-发射极电压（Vce）额定值为 40 V，集电极-基极电压（Vcb）为 60 V，表明其在中等电压应用中具有良好的耐压能力。
　　此外，DMMT3904W_R1_00001 采用 SOT-23 小型封装，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和焊接可靠性。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。
　　最后，该晶体管具有较低的饱和压降（Vce_sat），有助于降低功耗并提高电路效率，这在电池供电设备和低功耗系统中尤为重要。

DMMT3904W_R1_00001 晶体管由于其高频响应和良好的电流增益特性，广泛应用于多个电子领域。
　　在通信系统中，该晶体管可用于射频放大器、混频器和振荡器等模块，支持无线信号的放大和调制解调。其高频特性也使其适用于无线局域网（WLAN）、蓝牙模块和 ZigBee 通信等应用场景。
　　在消费电子领域，DMMT3904W_R1_00001 常用于音频放大电路、开关电路以及传感器信号调理电路。例如，在耳机放大器或麦克风前置放大器中，它能够提供稳定的信号放大，同时保持低噪声和高保真度。
　　在工业控制和自动化系统中，该晶体管可用作低功率继电器驱动器、LED 驱动器或数字信号开关。其表面贴装封装形式适用于自动化生产，提高了制造效率和产品可靠性。
　　此外，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车身控制模块、传感器接口电路和车载娱乐系统。其宽工作温度范围和高可靠性确保其在极端环境下的稳定运行。
　　最后，在嵌入式系统和物联网设备中，该晶体管常用于 GPIO 扩展、电平转换和低功耗开关电路，帮助实现高效的电源管理和信号控制。

2N3904, BC847, MMBT3904, 2N2222