时间：2025/12/26 11:38:21
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DMJT9435-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，旨在提供卓越的性能和可靠性。该器件特别适用于需要高效率和小尺寸封装的应用场合。DMJT9435-13采用SOT-23封装，这种小型表面贴装封装非常适合空间受限的设计，同时还能保持良好的热性能。作为P沟道MOSFET，它在低电压应用中表现出色，尤其是在电源管理、负载开关以及信号切换等场景中。该器件的设计注重低导通电阻（RDS(on)），以减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，其快速开关特性使其适合高频操作环境，有助于减小外部滤波元件的尺寸和成本。DMJT9435-13符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保的要求。由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式，这款MOSFET被广泛应用于便携式设备、消费类电子产品、工业控制电路以及其他需要高效能、小体积解决方案的领域。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压(VDSS)：-20V
栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：-4.4A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-12A
导通电阻(RDS(on))_max@VGS=4.5V：32mΩ
导通电阻(RDS(on))_max@VGS=2.5V：45mΩ
阈值电压(VGS(th))：-0.6V ~ -1.0V
输入电容(Ciss)：470pF
输出电容(Coss)：190pF
反向传输电容(Crss)：50pF
栅极电荷(Qg)：8nC
功耗(PD)：1W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
封装/外壳：SOT-23
DMJT9435-13采用先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻，从而显著降低了在导通状态下的功率损耗。这对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长电池寿命并提高能源利用效率。该器件在VGS = -4.5V时的最大RDS(on)仅为32mΩ，在VGS = -2.5V时为45mΩ，这表明即使在较低的栅极驱动电压下，它也能维持较低的导通损耗，适应现代低压逻辑电平控制的需求。此外，其-4.4A的连续漏极电流能力使得它能够驱动较大的负载，适用于多种电源开关应用。
该MOSFET具有快速的开关速度，得益于其相对较小的输入、输出和反向传输电容（分别为470pF、190pF和50pF），这减少了开关过程中的能量损失，并允许在高频条件下稳定运行。这对于DC-DC转换器、同步整流和其他高频开关电路至关重要。同时，较低的栅极电荷（Qg = 8nC）意味着驱动电路所需的能量更少，进一步提升了系统的整体效率。
DMJT9435-13的阈值电压范围为-0.6V至-1.0V，确保了可靠的开启与关断控制，避免因噪声或电压波动导致误动作。其最大栅源电压为±8V，提供了足够的安全裕度，防止栅极氧化层击穿。器件的工作结温可达150°C，具备良好的热稳定性，能够在严苛的环境条件下可靠工作。SOT-23封装不仅节省空间，还便于自动化生产和回流焊工艺，提高了生产效率和产品一致性。
DMJT9435-13广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制不同模块的供电，实现节能待机和电源隔离功能。它也常用于电池供电系统的反向极性保护电路，防止因电池安装错误而导致的设备损坏。此外，该器件适用于DC-DC转换器中的高端或低端开关，特别是在同步降压变换器中作为上管使用，凭借其低导通电阻和快速响应特性提升转换效率。
在信号切换和多路复用应用中，DMJT9435-13可用于模拟开关或数字信号路径的选择与控制，因其低导通电阻可最小化信号衰减。工业控制板、传感器接口电路以及小型电机驱动电路中也可发现其身影，承担电源通断或故障保护的角色。由于其SOT-23封装的小巧尺寸，特别适合高密度PCB布局设计，满足现代电子产品对微型化和集成化的追求。同时，其符合RoHS标准的环保属性使其适用于各类消费类和工业级产品认证要求。
[
"DMP2008UFG-7",
"FDD9435B",
"Si3455DV-T1-E3",
"AP2301GNTR-G1"
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