时间：2025/5/7 9:43:28
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DMG963030M4 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点。它专为要求高效能和小尺寸的应用而设计，适用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：10nC
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：SOT-23
DMG963030M4 的主要特性包括低导通电阻 (Rds(on))，这有助于降低功耗并提升效率；具备较高的开关速度，使其非常适合高频应用环境；同时，其小巧的 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，简化了系统设计。此外，该器件的工作温度范围宽广，能够适应多种恶劣的工作条件。
另外，这款 MOSFET 的 ESD 防护能力较强，增强了其在实际使用中的可靠性与稳定性。
DMG963030M4 广泛应用于各种需要高效功率转换和驱动的场景中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理模块等。它的低导通电阻特性和紧凑的封装形式使其成为便携式电子产品及空间受限应用的理想选择。
DMG963020M4
DMG963040M4
