时间：2025/8/9 14:31:42
阅读：11
FGW75N60HC是一款N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率应用。这款器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和卓越的热性能，适用于各种高电流和高电压的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.11Ω
最大功率耗散(Pd)：250W
工作温度范围：-55°C至150°C
FGW75N60HC具有多种显著特性。首先，其高击穿电压能力使其适用于高压电路设计，同时其低导通电阻降低了导通损耗，提高了效率。此外，该器件采用了先进的沟槽技术，优化了导电性能和热管理。其大电流承载能力使其适用于高功率应用，例如电源供应器和马达驱动器。FGW75N60HC还具备快速开关特性，减少了开关损耗并提高了系统性能。
FGW75N60HC广泛应用于多个领域，包括电源供应器、马达驱动器、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备。其高电压和高电流能力使其成为各种高功率电子系统的重要组件。
FGW75N60S2D
