DMG6968U 时间：2025/6/29 3:51:23 阅读：3

DMG6968U是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于Diodes公司生产的低导通电阻MOSFET系列。该器件采用微型SOT23-3封装，适合在空间受限的应用中使用。DMG6968U具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域的功率管理电路。
　　这款MOSFET的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频工作条件下提供高效的功率转换，并减少热量生成。此外，DMG6968U还具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，使其成为驱动负载的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：1.7A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.095Ω
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　总功耗：420mW
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

DMG6968U的关键特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为0.095Ω，可显著降低传导损耗。
　　2. 高速开关性能，支持高频应用中的高效能量转换。
　　3. 小型化SOT23-3封装，节省PCB板空间。
　　4. 较宽的工作温度范围（-55℃至+150℃），适用于多种环境条件下的操作。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
　　6. 提供高可靠性，适合长时间稳定运行。

应用

DMG6968U广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和直流-直流转换器。
　　2. 负载开关和电源管理模块。
　　3. 消费类电子产品中的电池管理电路。
　　4. LED驱动器和背光控制。
　　5. 数据通信接口保护电路。
　　6. 工业自动化系统中的信号处理和功率分配。
　　7. 各种便携式设备中的功率级管理，例如智能手机和平板电脑。