时间：2025/8/2 8:09:57
阅读：35
DMG6898LSD-13是一款由Diodes Incorporated生产的双通道P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和负载开关等电路中。这款MOSFET采用SOT26（SOT-26）封装，适合用于空间受限的设计。该器件具有低导通电阻、高可靠性和良好的热性能，适用于电池供电设备、便携式电子产品和DC-DC转换器等应用场景。
类型：P沟道MOSFET
通道数：双通道
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4A
导通电阻（RDS(ON)）：75mΩ @ VGS = -4.5V，150mΩ @ VGS = -2.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT26（SOT-26）
DMG6898LSD-13具有多个关键特性，使其成为高性能电源管理应用的理想选择。
首先，其双P沟道MOSFET结构允许在单个封装中实现两个独立的开关功能，节省PCB空间并提高系统集成度。该器件的低导通电阻（RDS(ON)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，从而提高整体能效。
其次，该MOSFET支持高达-4A的连续漏极电流，适用于中等功率负载的控制，如DC-DC转换器、电池充电电路和负载开关。
DMG6898LSD-13适用于多种电源管理和开关应用，包括但不限于以下场景：
在便携式电子设备中，该MOSFET常用于电池供电电路中的负载开关，实现对不同功能模块的独立供电控制，延长电池寿命。
在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流或输入/输出开关控制，提高转换效率并减少热量产生。
在工业控制系统中，DMG6898LSD-13可用于电机驱动、传感器供电管理以及PLC（可编程逻辑控制器）中的电源切换。
此外，该MOSFET还可用于USB电源管理、LED背光控制、电源多路复用器等应用场景，提供高可靠性和高效的开关性能。
Si3442DV-T1-GE3, FDMS3618, DMG2998LSD-13
