时间：2025/5/27 18:20:57
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XPC855TZP50D3是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件主要应用于高效率、高频率的开关电源和电机驱动电路中。其特点包括低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。该型号属于N沟道增强型MOSFET，能够在广泛的电压和电流范围内工作，适合多种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.12Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
开关速度：非常快
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃至175℃
XPC855TZP50D3具有出色的电气性能，特别是在高压应用领域表现优异。
1. 低导通电阻降低了传导损耗，提高了整体效率。
2. 快速开关特性使得器件非常适合高频开关电源和DC-DC转换器。
3. 高击穿电压允许其在高压环境下稳定运行。
4. 封装形式支持良好的散热性能，从而增强了长期使用的可靠性。
5. 广泛的工作温度范围确保了器件在极端环境下的稳定性。
XPC855TZP50D3广泛应用于各类需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)的设计。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 蓄电池充电器及逆变器电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED照明系统的驱动电路。
6. 各种需要高压大电流开关的应用场合。
XPC855TYP50D3, IRF840, STP80NF06
