时间：2025/4/28 16:18:01
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DMG6601LVT是一款N沟道增强型MOSFET，采用小尺寸的SOT-23封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器及电池管理等应用领域。
这款MOSFET因其出色的性能和较小的封装尺寸而受到广泛欢迎，尤其在对空间有严格要求的设计中表现优异。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：450mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：3nC
总电容：4pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
DMG6601LVT的主要特性包括低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其快速开关速度有助于减少开关损耗，并且具备较高的浪涌能力，确保了在瞬态条件下的可靠性。
此外，该器件采用了SOT-23封装，这种封装形式不仅体积小巧，还提供了良好的散热性能，非常适合用于空间受限的应用环境。
由于其耐高压特性，DMG6601LVT能够在较宽的电压范围内稳定工作，同时它的低输入电容也提升了整体开关性能。
DMG6601LVT广泛应用于消费类电子产品中，如手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关功能。它也可以用于电源管理模块，例如降压或升压DC-DC转换器中作为开关元件。
此外，在电池保护电路中，DMG6601LVT可充当理想的切换元件以防止过流和短路情况的发生。其紧凑的设计使其成为众多小型化设计的理想选择。
DMG6601LV,
STP11NM60,
IRF7413
