时间：2025/8/2 5:56:53
阅读：27
DMG4822SSDQ-13是一款由Diodes公司生产的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）阵列。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于各种高效率电源管理和负载开关应用。该MOSFET阵列采用SOT-563封装，体积小巧，适合便携式电子设备和空间受限的设计。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5.5A（每个通道）
脉冲漏极电流(Idm)：22A
导通电阻(Rds(on))：24mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：30mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷(Qg)：12nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：SOT-563
DMG4822SSDQ-13采用先进的Trench MOSFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗。该器件的高开关速度使其适用于高频开关应用，提高了电源转换效率。
此外，该MOSFET阵列具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。SOT-563封装形式使得该器件非常适合空间受限的应用，如智能手机、平板电脑和便携式电源设备。
DMG4822SSDQ-13还具备良好的栅极驱动兼容性，能够与标准的5V逻辑电路直接接口，简化了驱动电路的设计。其低栅极电荷（Qg）也降低了开关损耗，进一步提高了系统效率。
该器件的双N沟道MOSFET结构允许其在多个应用中并联使用，以提高电流承载能力。此外，DMG4822SSDQ-13的高雪崩耐量和良好的短路保护能力增强了系统的可靠性。
DMG4822SSDQ-13广泛应用于各种电源管理和负载开关场合，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关控制、电机驱动器以及各种便携式电子产品。其高效率和小尺寸特性使其特别适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他高密度电子设备中的电源管理模块。
此外，该器件还可用于工业自动化设备、汽车电子系统、LED驱动器以及各种需要高效能MOSFET开关的场合。
Si4822BDY-E3, FDS4822, NDS4822, DMG4822SSDQ
