类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：600V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　连续漏极电流 Id：2A
　　导通电阻 Rds(on)：≤2.5Ω（典型值）
　　耗散功率（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CS2N60FA9HD 具备多项优异特性，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其高达 600V 的漏源击穿电压（Vds）使其适用于高压电源转换系统，如 PFC（功率因数校正）电路和反激式开关电源。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，CS2N60FA9HD 采用了先进的平面 MOSFET 工艺，确保了良好的开关性能和稳定的栅极控制特性。其 ±30V 的栅源电压容限（Vgs）增强了抗电压瞬态能力，提高了系统可靠性。
　　该器件的 TO-252（DPAK）封装具备良好的热管理性能，支持表面贴装工艺，适合自动化生产。同时，其 2A 的连续漏极电流能力使其适用于中小功率负载切换和电机控制应用。
　　CS2N60FA9HD 还具备快速开关速度和低栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高工作频率，从而减小外围电路元件的尺寸。此外，其高可靠性设计使其在恶劣工作环境下依然能保持稳定运行。

CS2N60FA9HD 主要应用于以下领域：开关电源（SMPS）中的高压功率开关、PFC（功率因数校正）电路、DC-DC 转换器、LED 驱动电路、电机控制电路、负载开关、充电器管理系统、工业自动化控制设备以及家用电器中的功率控制模块。由于其高耐压特性和良好的热管理能力，该器件在高可靠性要求的环境中也能稳定运行。

FQP12N60C、STP8NM60ND、IRF840、2SK2545