DMG4822SSD 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。它采用小型化的 DFN1010-2 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于便携式设备、电池供电系统以及需要高效功率管理的应用场景。
该器件在低压条件下表现出优异的性能,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
持续漏极电流:2.5A
导通电阻(Rds(on)):60mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
总功耗:390mW
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
DMG4822SSD 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗并提升效率。
2. 快速开关能力,适合高频开关应用。
3. 高度集成的小型封装设计,节省 PCB 空间。
4. 支持宽范围的工作温度,适应多种恶劣环境条件。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
6. 内置静电保护功能,增强器件可靠性。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 电源管理模块中的负载开关。
2. 便携式电子设备中的电池保护电路。
3. 数据通信接口保护。
4. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
5. LED 驱动电路及电机驱动控制。
6. 各种消费类电子产品中作为功率开关使用。
DMG4822LSSD, DMG4822SSE