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DMG4822SSD 发布时间 时间:2025/5/9 17:55:31 查看 阅读:11

DMG4822SSD 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。它采用小型化的 DFN1010-2 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于便携式设备、电池供电系统以及需要高效功率管理的应用场景。
  该器件在低压条件下表现出优异的性能,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:2.5A
  导通电阻(Rds(on)):60mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
  总功耗:390mW
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

DMG4822SSD 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗并提升效率。
  2. 快速开关能力,适合高频开关应用。
  3. 高度集成的小型封装设计,节省 PCB 空间。
  4. 支持宽范围的工作温度,适应多种恶劣环境条件。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
  6. 内置静电保护功能,增强器件可靠性。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 电源管理模块中的负载开关。
  2. 便携式电子设备中的电池保护电路。
  3. 数据通信接口保护。
  4. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  5. LED 驱动电路及电机驱动控制。
  6. 各种消费类电子产品中作为功率开关使用。

替代型号

DMG4822LSSD, DMG4822SSE

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