时间：2025/12/26 8:39:18
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DMG3406L-7是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23小外形晶体管封装，适用于便携式设备和空间受限的应用场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛用于电源管理、负载开关、电机控制以及信号切换等电路中。其紧凑的封装形式使得它在需要小型化设计的消费类电子产品中尤为受欢迎，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及各类电池供电装置。DMG3406L-7通过优化栅极设计实现了较低的栅极电荷，从而降低了开关损耗，提升了系统整体效率。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子制造流程。由于其优异的电气性能和可靠性，DMG3406L-7成为许多中低功率开关应用中的理想选择。
类型：N沟道
极性：增强型
漏源电压（Vds）：20V
连续漏极电流（Id）@25°C：3.7A
脉冲漏极电流（Idm）：14.8A
导通电阻Rds(on)@Vgs=4.5V：47mΩ
导通电阻Rds(on)@Vgs=2.5V：65mΩ
栅源阈值电压Vgs(th)@I d=250μA：0.6V ~ 1.2V
栅极电荷Qg@Vds=10V, Id=3.7A：5.5nC
输入电容Ciss：230pF
输出电容Coss：120pF
反向恢复时间trr：12ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOT-23
DMG3406L-7具备出色的导通特性和快速开关能力，能够在低电压条件下实现高效的功率控制。其最大漏源电压为20V，适用于3.3V或5V逻辑驱动系统，特别适合用于电池供电设备中的电源开关与负载管理。该器件在Vgs=4.5V时的典型Rds(on)仅为47mΩ，在Vgs=2.5V时也仅为65mΩ，这意味着即使在较低的栅极驱动电压下仍能保持较低的导通损耗，提高能效并减少发热。
该MOSFET的栅源阈值电压范围为0.6V至1.2V，使其能够兼容多种低压控制信号源，包括微控制器GPIO输出，增强了系统的集成灵活性。其低栅极电荷（Qg=5.5nC）进一步降低了驱动功耗，有助于提升高频开关应用中的整体效率。同时，输入电容Ciss为230pF，输出电容Coss为120pF，这些参数保证了快速的开关响应时间和较小的驱动能量需求，适用于DC-DC转换器、同步整流和高速开关电路。
DMG3406L-7采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该封装具有良好的热传导性能，结合合理的PCB布线设计可有效散热，确保器件在持续负载下的稳定运行。器件的工作结温范围从-55°C到+150°C，展现出卓越的环境适应能力和长期可靠性，适用于工业级和消费级应用场景。此外，该产品符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，支持环保生产工艺，并可通过无铅回流焊进行装配。
常用于便携式电子设备中的电源开关、电池保护电路、LED驱动、H桥电机控制、热插拔电路以及各类模拟开关应用。也广泛应用于移动电源、USB充电管理、无线耳机充电仓、智能家居传感器模块等低电压、小电流开关场合。其高速开关特性使其适用于同步降压变换器中的下管开关，以及负载切换和多路电源选择电路。此外，在需要低静态功耗的设计中，该器件可用于切断未使用模块的供电以节省能耗。
AO3406,DMP3006L-7,SI2306DS,FDN340P
