时间：2025/7/9 3:06:30
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DMG3401LSN 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。DMG3401LSN 采用 SOT23-3 封装形式，适合用于需要小型化设计的应用场景。
这款 MOSFET 主要针对消费类电子设备中的电源管理、信号切换以及负载开关等应用而设计，其出色的电气性能使其成为各种低功耗电路的理想选择。
最大漏V
最大栅源电压(V_GS)：±8V
连续漏极电流(I_D)：1.15A
导通电阻(R_DS(on))：60mΩ @ V_GS = 4.5V
总功耗(P_TOT)：420mW
结温范围(T_J)：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT23-3
DMG3401LSN 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (R_DS(on))，确保了在高电流下的高效运行并减少功率损耗。
2. 高开关速度，适用于高频开关应用。
3. 支持宽范围的工作电压，能够满足多种应用场景的需求。
4. 小型化的 SOT23-3 封装，节省 PCB 空间，非常适合便携式设备。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计性高，能够在极端温度条件下稳定工作。
DMG3401LSN 广泛应用于以下领域：
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. USB 端口保护和信号切换。
3. 开关电源和 DC-DC 转换4. 电池供电设备中的电源管理。
5. LED 驱动电路中的开关控制。
6. 各种消费类电子产品中的保护电路和信号路由。
DMG3402LSS, BSS138, FDN340P
