时间：2025/6/5 8:47:57
阅读：14
DMG2301L-7是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET，采用超小型DFN1008-3封装。该器件设计用于低电压应用，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够在高效率开关和线性模式下运行。其低电荷和快速开关特性使其非常适合便携式设备、消费电子及通信产品中的负载开关、同步整流和其他功率管理功能。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：DFN1008-3 (0.8mm x 1.0mm)
最大漏源电压Vds：20V
最大栅源电压Vgs：±8V
连续漏极电流Id：1.4A
导通电阻Rds(on)：65mΩ @ Vgs=4.5V
总栅极电荷Qg：2nC
反向恢复时间trr：<25ns
工作温度范围Tj：-55°C to +150°C
DMG2301L-7拥有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
其超小的DFN1008-3封装节省了PCB空间，非常适合空间受限的应用。
该器件具备优异的热稳定性，并能在较宽的工作温度范围内保持性能。
MOSFET的设计确保了快速开关和低栅极电荷，从而减少了开关损耗。
此外，DMG2301L-7符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
该MOSFET广泛应用于各种需要高效功率转换和开关操作的场景，例如：
负载开关：在便携式设备中实现电源的快速接通与断开。
电池管理系统：用于保护电路，避免过充或过放。
同步整流器：在DC-DC转换器中提高效率。
电机驱动：控制小型直流电机的速度和方向。
消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理部分。
DMG2305UW-7,
DMG2302L-7,
BSG0820DN
