DMG1023UV 时间：2025/6/23 20:50:18 阅读：5

DMG1023UV 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，采用小型化的 SOT23-3L 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛适用于便携式设备、消费类电子产品以及各种需要高效功率管理的应用场景。

参数

型号：DMG1023UV
　　封装：SOT23-3L
　　Vds（漏源极电压）：30V
　　Rds(on)（导通电阻）：0.65Ω
　　Id（连续漏极电流）：0.48A
　　Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.8V
　　fmax（最大工作频率）：7MHz
　　功耗：90mW
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

DMG1023UV 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，提高效率。
　　2. 高开关速度设计，适合高频应用环境。
　　3. 小巧的 SOT23-3L 封装形式，节省 PCB 空间。
　　4. 较宽的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适应多种恶劣环境。
　　5. 支持低至 1.8V 的栅极驱动电压，非常适合电池供电的便携式设备。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅制造工艺。

应用

DMG1023UV 广泛应用于以下领域：
　　1. 手机及平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
　　2. USB 充电保护电路。
　　3. 电源管理系统中的功率级开关。
　　4. 电机驱动与控制。
　　5. LED 驱动器中的开关元件。
　　6. 各种消费类电子产品的信号切换和功率管理。
　　其高效率和小尺寸特别适合对空间和能耗要求较高的应用场景。